SISA34DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
Deutsch
Artikelnummer: | SISA34DN-T1-GE3 |
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Hersteller / Marke: | Vishay / Siliconix |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 30V 40A PPAK1212-8 |
Datenblätte: |
|
RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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1+ | $0.55 |
10+ | $0.36 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 2.4V @ 250µA |
Vgs (Max) | +20V, -16V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | PowerPAK® 1212-8 |
Serie | TrenchFET® Gen IV |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.7mOhm @ 10A, 10V |
Verlustleistung (max) | 20.8W (Tc) |
Verpackung / Gehäuse | PowerPAK® 1212-8 |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1100 pF @ 15 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12 nC @ 4.5 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 40A (Tc) |
Grundproduktnummer | SISA34 |
SISA34DN-T1-GE3 Einzelheiten PDF [English] | SISA34DN-T1-GE3 PDF - EN.pdf |
MOSFET N-CH 40V 60A POWERPAK1212
VISHAY DFN
MOSFET P-CH 30V 10A/16A PPAK
MOSFET N-CH 20V 43.7A/162A PPAK
MOSFET N-CH 30V 38.3A PPAK1212-8
MOSFET N-CH 25V 60A PPAK1212-8S
MOSFET N-CH 25V 60A PPAK1212-8
MOSFET N-CH 40V 60A PPAK1212-8
MOSFET N-CH 25V 60A POWERPAK1212
MOSFET N-CH 30V 16A POWERPAK1212
SiSA34DN Vishay
MOSFET N-CH 30V 40A POWERPAK1212
VISHAY DFN
VISHAY PAK1212-8
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MOSFET N-CH 40V 25.4A/94A PPAK
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() SISA34DN-T1-GE3Vishay Siliconix |
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Zielpreis (USD)
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